| 龙腾半导体股份有限公司 |
| 地址：陕西西安凤城十二路1号出口加工区 邮编：710000 电话：029-86658666 传真：029-86658666 4000 邮箱：sales@lonten.cc 网站：www.lonten.cc |
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企业简介：
龙腾半导体股份有限公司是一家致力于新型功率半导体器件研发、生产、销售和服务的高新技术企业。
公司将技术创新视为企业发展的第一驱动力，拥有两百余项核心技术专利；制定超结功率MOSFET国家行业标准（标准号SJ/T 9014.8.2-2018）；运营联合新型研发平台（交大-龙腾先进功率半导体技术研究院）。 公司建有一流的器件测试实验室及产品可靠性工程中心，并专注提供高效、可靠、安全的功率器件及高性价比的系统解决方案。 公司已形成超结MOSFET、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、中低压SGT MOSFET、中低压沟槽MOSFET、高压平面MOSFET及功率模块等完整的功率器件产品系列。产品已在消费类（TV板卡电源、充电器、适配器、LED驱动电源）、工业类（计算机及服务器电源、通信电源）、汽车类（充电桩、车载电源）等领域得到了广泛应用。 公司愿景 领先的功率半导体器件及系统解决方案提供商。 |
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重点产品介绍：
超结MOSFET：LonFETTM是龙腾半导体超结MOSFET系列产品。采用先进的超结技术制造，具有极低的导通电阻和栅极电荷，显著降低导通和开关损耗，特别适用于高功率密度和高效率电力电子变换系统。
高压平面MOSFET：龙腾高压平面MOSFET采用业界最新的平面技术设计制造而成，涵盖500-800V电压范围系列产品。 中低压沟槽MOSFET：龙腾中低压沟槽MOSFET产品系列完善，电压涵盖N/P 20V~100V。针对不同应用领域对器件性能的需求特点采用不同的设计方案，使器件在各自应用场合性能最佳。 中低压SGT MOSFET：龙腾SGT系列产品利用自有专利技术，采用优化的沟槽屏蔽栅设计及工艺制造技术，产品在低Ronsp特性基础上能够兼顾高BV，且雪崩耐量高，同时产品各使用参数波动特别小等特性。产品电压涵盖30V~200V，覆盖各种应用领域。 IGBT ：LonOPTTM IGBT系列产品采用先进的Trench+FS技术，并采用特殊的IEGT结构，可以实现导通压降和开关损耗的良好折衷。产品参数一致性好，可靠度高，涵盖600V～1700V电压，可用于光伏逆变器、电焊机和不间断电源等。 |
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产品展示：
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论文初稿提交截止时间
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2021年6月30日 2021年7月20日
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专题讲座、工业报告征集截止时间
(
2021年6月30日 2021年7月20日
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论文录用通知时间
( 2021年8月16日 )
论文终稿提交截止时间
( 2021年9月15日 )
报名系统开放时间
( 2021年8月16日 )
注册优惠截止期
( 2021年10月12日 )
大会时间
( 2021年11月12-15日 )
