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罗海辉 教授级高级工程师 |
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报告摘要：基于中车STMOS芯片技术和业界领先的IGBT/FRD特色工艺平台，面向新能源汽车、新能源发电和工业控制等应用领域，推出高性能精细沟槽栅IGBT及其配套FRD芯片解决方案。展示了高电流密度、高工作结温、高鲁棒性以及集成传感等技术的研究与开发成果，并对未来器件极限与技术挑战进行了探讨。 |
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报告人简介：罗海辉，博士，中国中车首席技术专家，现任株洲中车时代半导体有限公司常务副总经理兼研发中心主任。长期从事IGBT和碳化硅功率器件技术研发与产业化工作，带领团队构建全电压系列IGBT产品技术平台并为轨道交通、新能源汽车、工业和输配电等领域提供功率半导体器件解决方案。入选“国家重点领域创新团队”，核心参与项目“高压大电流IGBT芯片关键技术及应用”并荣获2019年国家技术发明奖二等奖（排名3/6），获省部级科技奖5项，通过省部级科技成果鉴定4项。申请发明专利100余项，其中46项发明专利已授权。在国际会议、国内外核心期刊发表论文40余篇。 |
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论文初稿提交截止时间
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2021年6月30日 2021年7月20日
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专题讲座、工业报告征集截止时间
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2021年6月30日 2021年7月20日
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论文录用通知时间
( 2021年8月16日 )
论文终稿提交截止时间
( 2021年9月15日 )
报名系统开放时间
( 2021年8月16日 )
注册优惠截止期
( 2021年10月12日 )
大会时间
( 2021年11月12-15日 )
