| 大连芯冠科技有限公司 |
| 地址：大连市高新技术产业园区信达街57号工业产业设计园7号楼 电话：0755-86563524 邮箱：szmarket@xinguanchn.com 网站：http://xinguanchn.com/ |
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企业简介：
大连芯冠科技有限公司是由海外归国团队于2016年3月创立的半导体企业，从事第三代半导体硅基氮化镓外延材料及功率器件的研发、设计、生产和销售，现拥有一条国际先进的6英寸半导体器件生产线，涵盖MOCVD外延炉及外延表征设备、半导体芯片生产线、晶圆在片检测系统、可靠性测试系统和应用开发系统，已实现6英寸650伏硅基氮化镓外延片和各种规格功率器件的量产，功率器件电源功率的应用范围范围低至30W，高至6KW。器件可广泛应用于消费类电子（快充、大功率适配器等）、电动汽车、太阳能逆变器、工业马达驱动等行业。芯冠氮化镓功率器件的特点是抗击穿电压高达1500V以上，兼容标准MOS的驱动，应用开发简单。公司在深圳成立了芯冠应用科技（深圳）有限公司，负责公司产品的应用开发、销售以及针对客户的技术支持。芯冠正在筹建年产1亿颗氮化镓功率器件的生产线，以更好的服务于广大客户。
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重点产品介绍：
芯冠650V GAN FET，不但具有其他氮化镓功率器件高功率密度、高工作频率等优势，还可兼容标准MOS驱动，方案设计更为简单；具备更高的阈值电压和栅安全工作区间，击穿电压超过1500伏，可靠性优越，使用更为安心。芯冠GAN FET规格齐全，可满足从几十瓦到几千瓦的功率需求，是国内唯一一家可以提供全规格650伏氮化镓产品GAN功率器件的厂商。
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产品展示：
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论文初稿提交截止时间
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2021年6月30日 2021年7月20日
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专题讲座、工业报告征集截止时间
(
2021年6月30日 2021年7月20日
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论文录用通知时间
( 2021年8月16日 )
论文终稿提交截止时间
( 2021年9月15日 )
报名系统开放时间
( 2021年8月16日 )
注册优惠截止期
( 2021年10月12日 )
大会时间
( 2021年11月12-15日 )
