| 深圳尚阳通科技有限公司 |
| 地址：深圳市南山区科技园高新南一道创维大厦A座1206室 邮编：518063 电话：15084832751 邮箱：Sales@sanrise-tech.com 网站：www.sanrise-tech.com |
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企业简介：
深圳尚阳通科技有限公司成立于2014年6月，是一家专注于新一代功率器件和模拟IC开发的国家高新技术企业、知识产权贯标企业，同时也是中国半导体协会成员、电力电子协会成员、深圳市第三代半导体研究会成员。
作为新一代功率半导体技术领航企业，尚阳通掌握创新型功率半导体核心技术，拥有自主知识产权和自主品牌。产品主要涵盖的功率器件包括：IGBT、SnowMOS™(Super Junction MOSFET)、TTMOS™（SGT MOSFET）、SiC系列，目前已应用到电力电子、新能源、通讯、数据中心、服务器电源、汽车充电桩及新能源汽车车载OBC、车载DC-DC、消费家电及影像产品，PD充电电源等领域。公司技术团队超一流的工艺开发和IC设计研发实力使得公司产品在迭代过程中，不断在器件关键技术领域取得重大突破，关键指标性能已达到国际先进水平。 尚阳通差异化的产品理念、多元化的产品创新组合和全产业链的整合共享能力，不仅为客户提供丰富的产品选择，更最大化的方便客户的开发和成本优化。通过IC设计开发、先进封装预研、系统方案参考设计、售前售后技术支持以及整体解决方案为客户提供专业的服务。 |
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重点产品介绍：
这是一颗击穿电压650V的IGBT，该产品的制造和封装依托本土企业，供应链安全也得到了保证。在典型应用条件下，完成一次开关过程的总损耗只有2mJ，开关频率最高可达100KHz，其性能水平跟Infineon的IGBT H5代相当。该产品芯片面积更小，成本更低，在开关速度要求不高时是MOSFET的完美替代方案。此颗产品已经大批量用在新能源充电设备上，可以提供客户高性价比方案。
该产品的创新性如下： 1.产品结构上采用沟槽栅替代传统平面栅，消除JFET效应所Vcesat的恶化；采用超薄硅技术、背面注入和激光退火将漂移区厚度降低40%，减少IGBT导通时存贮载流子的数目，避免使用少子寿命控制技术。 2. 产品调整工艺步骤、优化现有IGBT的关键工艺流程，选择对应版图结构改善现有FZ晶圆的翘曲问题。本产品Pitch不足上一代的20%，首次实现微米级硅台面。 3. 产品在沟槽栅旁边引入源极场板降低输入电容和栅漏耦合电容；采用弱P型背面注入和高能量正面载流子存贮层注入，调节IGBT导通时载流子的分布，让靠近表面的浓度高，体内浓度低，关断过程中加速载流子抽取。本产品开关过程损耗为上一代的30%。 |
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产品展示：
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论文初稿提交截止时间
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2021年6月30日 2021年7月20日
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专题讲座、工业报告征集截止时间
(
2021年6月30日 2021年7月20日
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论文录用通知时间
( 2021年8月16日 )
论文终稿提交截止时间
( 2021年9月15日 )
报名系统开放时间
( 2021年8月16日 )
注册优惠截止期
( 2021年10月12日 )
大会时间
( 2021年11月12-15日 )
