| 北京晶川电子技术发展有限责任公司 |
| 地址：北京市丰台区南三环东路23号1号楼6层西段办公601、602号 电话：010-67695050-876 网站：www.igbt.cn |
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企业简介：
北京晶川电子技术发展有限公司成立于1996年3月，现主要授权分销产品有：英飞凌工业电力控制事业部产品、英飞凌汽车电子事业部产品；英飞凌双极型公司产品；MCU及wifi/蓝牙芯片及模块；电源管理及传感器；EPCOS无源电子元件；PI公司IGBT驱动产品；德国VAC纳米晶磁性元器件；法国美尔森电气保护元件；韩国LS产电低压电器；台湾光宝光电器件；美国霍尼韦尔导热硅脂；台湾Aker 有源、无源晶振等。
晶川电子坚持技术服务促进贸易发展，坚持其授权分销产品对客户负责，与客户共赢共发展的经营原则。在北京设有电力电子应用方案研发中心，IGBT应用可靠性实验室（办公面积超过5000平方米），致力于为客户提供有效的技术支持与售后技术服务。在成都投资建设有成都晶川电力电子工业园（建筑面积超过4万多平方米），支持客户创业创新。并在上海、深圳、武汉、西安、成都、重庆、青岛、南京、苏州、杭州设有客户服务联络处。 晶川电子二十多年，围绕工业电力电子与汽车核心零部件分销经营没有变化，大力促进中国节能减排以及充分利用新能源，建设生态文明的战略没有变。变化的是晶川电子的业务不断增加；授权分销的产品种类、品牌不断增加；进一步服务客户的能力不断增强。 |
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重点产品介绍：
SIC （碳化硅）是一种由SI（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料，Sic带隙是si器件的3倍左右，与SI器件相比，能够以更高的掺杂浓度及更薄的漂移层做出600V以上，甚至上万伏的高压功率器件，且导通电阻更低。SIC的导热率是SI器件的2倍左右，可以同等电流下采用更小型化的芯片设计，器件且具备更高的抗宇宙射线故障能力。SIC 材料能够以具有较快速器件结构特征的多数载流子器件（肖特基势垒二极管和MOSFET）实现高压化。使用SIC材料制成的电力电子半导体器件实现“高耐压”、“低导通电阻”、“高频”这三个特性。
英飞凌 SIC产品自面市之初，就特别重视SIC产品长期运行的可靠性和易用性。在器件门级氧化层可靠性，阈值电压漂移，芯片抗短路电流能力方面与竞品相比均有出色的表现。小型化是未来工业电力电子产品的发展趋势之一，而半导体设计的持续发展趋势是在降低开关损耗的基础上，提高功率密度，从而使用更小的散热器，同时提高工作频率，缩小磁性元器件尺寸。SIC器件正式是应对这一发展方向应运而生的第三代电力电子半导体器件。 |
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产品展示：
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论文初稿提交截止时间
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2021年6月30日 2021年7月20日
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专题讲座、工业报告征集截止时间
(
2021年6月30日 2021年7月20日
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论文录用通知时间
( 2021年8月16日 )
论文终稿提交截止时间
( 2021年9月15日 )
报名系统开放时间
( 2021年8月16日 )
注册优惠截止期
( 2021年10月12日 )
大会时间
( 2021年11月12-15日 )
