| 无锡新洁能股份有限公司 |
| 地址：无锡市新吴区研发一路以东，研发二路以南 电话：0510-85629718 网址：www.ncepower.com |
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企业简介：
无锡新洁能股份有限公司（SH.605111）成立于2013年，拥有新洁能香港、电基集成两家全资子公司以及深圳分公司、宁波分公司，自成立以来即专注于MOSFET、IGBT等先进半导体功率器件的研发、生产与销售。产品优质且系列齐全，广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子智能装备制造、轨道交通、光伏新能源、5G等领域。公司为国内MOSFET等半导体功率器件设计领域领军企业，2016年以来连续四年名列“中国半导体功率器件十强企业”。公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品，是国内率先掌握超结理论技术，并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的企业之一，是国内最早在12英寸工艺平台实现沟槽型MOSFET、屏蔽栅MOSFET量产的企业，也是国内MOSFET品类最齐全且产品技术领先的公司。同时，公司是国内最早同时拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品平台的本土企业之一，产品电压已经覆盖了12V~1350V的全系列产品。
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重点产品介绍：
屏蔽栅功率MOSFET已发展到第二代，SGT MOSFET II系列产品较第一代而言特征导通电阻降低20%以上，ESD能力、大电流关断能力、短路能力提升20%以上，达到和optimos 5系列同等水平，基于极佳的性能，该系列产品也被广泛地用于5G电源、基站电源、通信、家用电器等领域。超结功率MOSFET已发展到第四代，通过优化器件设计和工艺制造技术，使其具有更优的开关速度、导通损耗和栅极电荷,应用包括5G电源、基站电源、PC电源等领域。 Trench MOSFET产品与传统MOSFET相比具有更优的单胞密度、沟道长度、特征电阻、导通电流和开关速度，新洁能率先在国内知名12寸晶圆厂代工，采用先进的制造工艺以及封装技术，确保产品具有更优的EAS及ESD能力，该系列产品被广泛地用于转换器、逆变器、LED电源等领域。Trench FS IGBT系列发展至第二代，具有更好的温度特性，可以有效的避免工作电流集中，且产品通过优化器件结构设计，使其在工作过程中的电压和电流谐振更小，同时可适用于多种电路设计方案,二代产品可以广泛应用于电机驱动、PFC、逆变器、UPS、感应加热等应用场合。
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产品展示：
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论文初稿提交截止时间
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2021年6月30日 2021年7月20日
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专题讲座、工业报告征集截止时间
(
2021年6月30日 2021年7月20日
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论文录用通知时间
( 2021年8月16日 )
论文终稿提交截止时间
( 2021年9月15日 )
报名系统开放时间
( 2021年8月16日 )
注册优惠截止期
( 2021年10月12日 )
大会时间
( 2021年11月12-15日 )
