讲座主题：SiC功率器件的可靠性
讲座人：郝欣 博士，首席工程师 英飞凌科技（中国）有限公司
郑姿清 主任工程师 ，英飞凌科技（中国）有限公司
讲座摘要：
碳化硅MOSFET凭借其良好的导通和开关特性，越来越受到关注。作为一种新型材料功率半导体器件，其可靠性也受到用户的密切关注。本讲座从碳化硅MOSFET可靠性的各个方面入手，详细阐述可靠性的原理和测试方法。如门极氧化层可靠性，阈值电压漂移，抗宇宙射线能力，短路能力，双极性退化，产品级质量测试，汽车级认证，工业级标准及认证等。
讲座人介绍：
郝欣博士，在2004年及2013年分别 获得 合肥工业大学 电气工程学士及电力电子博士学位。 郝博士于2015年加入英飞凌科技，现任职于工业功率控制事业部应用与系统方案拓展经理，负责英飞凌大功率IGBT及SiC器件在中国地区的新技术导入、应用开发及产品路线。
论文初稿提交截止时间
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2021年6月30日 2021年7月20日
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专题讲座、工业报告征集截止时间
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2021年6月30日 2021年7月20日
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论文录用通知时间
( 2021年8月16日 )
论文终稿提交截止时间
( 2021年9月15日 )
报名系统开放时间
( 2021年8月16日 )
注册优惠截止期
( 2021年10月12日 )
大会时间
( 2021年11月12-15日 )
