| 派恩杰半导体（杭州）有限公司 |
| 地址：浙江省杭州市萧山区宁围街道悦盛国际中心603室 电话：0571-88263297 企业邮箱：info@pnjsemi.com 网站：www.pnjsemi.com |
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企业简介：
派恩杰半导体（杭州）有限公司成立于2018年9月，是第三代半导体功率器件设计销售企业（Fabless模式），持续专注于碳化硅和氮化镓功率器件设计研发与产品销售。
派恩杰产品有SiC SBD，SiC MOS以及GaN HEMT等，广泛应用于服务器及数据中心电源、新能源汽车、智能电网、5G物联网、工业电机、逆变器等场景和领域。成立仅6个月即完成第一款可兼容驱动650V GaN功率器件；同年发布Gen3技术的1200V SiC MOS产品，技术指标国内领先；2020年公司推出650V、1700V SiC MOS产品，完成三大产品系列布局；2021年公司推出650V、1200V SiC SBD全阵容产品，丰富了650V、1200V、1700V SiC MOS产品线，将发布100余款不同型号功率器件。 |
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重点产品介绍：
SiC‐SBD，相比于现在主流产品中的快速恢复二极管，能够明显地减少反向恢复损耗，而且具有高温运行特性，有利于电源的高效率化，通过高频驱动实现无源器件的小型化，同时可以降噪音。可以广泛应用于空调、开关电源、光伏发电系统中的功率调节器以及电动汽车的快速充电器的PFC电路，Boost电路和高频整流桥电路中。
SiC‐MOS同时实现Si元器件做不到的高速开关和低导通电阻，即使在高温条件下，也具有优异的电气特性,极小的反向恢复损耗。能够显着减少电力电子变换器的重量、体积、成本，提高电力电子系统的效率和功率密度。 |
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产品展示：
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论文初稿提交截止时间
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2021年6月30日 2021年7月20日
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专题讲座、工业报告征集截止时间
(
2021年6月30日 2021年7月20日
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论文录用通知时间
( 2021年8月16日 )
论文终稿提交截止时间
( 2021年9月15日 )
报名系统开放时间
( 2021年8月16日 )
注册优惠截止期
( 2021年10月12日 )
大会时间
( 2021年11月12-15日 )
