| 三菱电机机电（上海）有限公司 |
| 地址：上海市长宁区兴义路8号万都中心29楼 电话：021-52082030 网站：http://www.mitsubishielectric-mesh.com/ |
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企业简介：
三菱电机创立于1921年，是全球知名的综合性企业集团。在2019年《财富》世界500强排名中，位列300名。截止2020年3月31日的财年，集团营收44625亿日元（约合美元409亿）。作为一家技术主导型的企业，三菱电机拥有多项专利技术，并凭强大的技术实力和良好的企业信誉在全球的电力设备、通信设备、工业自动化、电子元器件、家电等市场占据着重要的地位。
尤其在电子元器件市场，三菱电机从事开发和生产半导体已有60多年。三菱电机半导体产品包括功率模块（IGBT、IPM、DIPIPM™、HVIGBT、EV模块和SiC模块等）、射频器件、光器件和光模块等产品。其中功率半导体模块有助于您在电动汽车、工业、新能源、铁道牵引、电力系统和变频家电等众多领域实现变频、节能和环保的要求；而光器件和光模块产品将为各种模拟/数字通讯、有线/无线通讯等应用提供解决方案。 |
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重点产品介绍：
1) SLIMDIPTM
最小封装的DIPIPMTM，内置RC-IGBT芯片，优异的性能、合理的成本，满足价格敏感的变频家电应用，有SLIMDIP-S、SLIMDIP-L、SLIMDIP-W和SLIMDIP-M等多个产品。 2) 第7代超小型DIPIPMTM 适合通用变频器、伺服驱动器等对电流过载倍数要求高的工业领域。该产品最大结温由之前的150℃提升至175℃，最大额定电流由35A扩展至40A，EMI噪声和PCB焊盘的温度也得到了优化。 3) 第7代高速IGBT模块 面向医疗仪器、感应加热和EV充电应用市场，采用优化的第7代高速IGBT芯片和陶瓷绝缘一体化基板全新设计。在高开关频率应用下的损耗很低，允许最高结温175℃，且内部寄生电感和热阻显著降低。 4) X系列HVIGBT 从1.7kV到6.5kV，采用第7代IGBT和RFC二极管硅片技术，有效降低功率损耗，实现更大电流密度。另外，通过内部封装技术的改善，提高器件散热、耐湿和防火性能，延长产品寿命。 5) 高压SiC功率模块 基于SiC功率芯片和LV100封装开发的全碳化硅和混合碳化硅功率模块，为用户的标准化开发带来了众多便利。期望将损耗降到更低且对产品性能要求高的用户，可选用允许更高开关频率的3.3kV/750A或3.3kV/375A全碳化硅高压MOSFET；而对性价比要求更高的用户，则可以选用1.7kV或3.3kV混合碳化硅HVIGBT。 |
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产品展示：
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论文初稿提交截止时间
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2021年6月30日 2021年7月20日
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专题讲座、工业报告征集截止时间
(
2021年6月30日 2021年7月20日
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论文录用通知时间
( 2021年8月16日 )
论文终稿提交截止时间
( 2021年9月15日 )
报名系统开放时间
( 2021年8月16日 )
注册优惠截止期
( 2021年10月12日 )
大会时间
( 2021年11月12-15日 )
